STL92N10F7AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5Ohm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 63.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STL92N10F7AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL92N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 8000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STL92N10F7AG за ціною від 48.08 грн до 210.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL92N10F7AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL92N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 8000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STL92N10F7AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 16 A STripFET F7 Power MOSFET |
на замовлення 2111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STL92N10F7AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL92N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 8000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STL92N10F7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 16A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5Ohm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STL92N10F7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 5W; PowerFLAT 5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 16A Power dissipation: 5W Case: PowerFLAT 5x6 On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |