STN0214 STMicroelectronics


en.DM00047825.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 1200V 0.2A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300 mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STN0214 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STN0214 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 1.2 kV, 200 mA, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції STN0214 за ціною від 33.38 грн до 112.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STN0214 STN0214 STMicroelectronics dm0004782.pdf Trans GP BJT NPN 1200V 0.2A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.34 грн
5000+36.99 грн
10000+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN0214 STN0214 STMicroelectronics dm0004782.pdf Trans GP BJT NPN 1200V 0.2A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.34 грн
5000+36.99 грн
10000+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN0214 STN0214 STMicroelectronics en.DM00047825.pdf Description: TRANS NPN 1200V 0.2A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300 mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.11 грн
10+67.90 грн
100+45.29 грн
500+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN0214 STN0214 STMicroelectronics stn0214-1851406.pdf Bipolar Transistors - BJT Very High Volt NPN 1400V 200mA PWR Tran
на замовлення 11810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN0214 STN0214 STMICROELECTRONICS SGSTS35341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN0214 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 1.2 kV, 200 mA, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN0214 STN0214 STMICROELECTRONICS SGSTS35341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN0214 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 1.2 kV, 200 mA, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN0214 dm0004782.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 1200V 0.2A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+39.34 грн
5000+36.99 грн
10000+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN0214 dm0004782.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 1200V 0.2A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+39.34 грн
5000+36.99 грн
10000+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN0214 en.DM00047825.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 1200V 0.2A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300 mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.11 грн
10+67.90 грн
100+45.29 грн
500+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN0214 stn0214-1851406.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Very High Volt NPN 1400V 200mA PWR Tran
на замовлення 11810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN0214 SGSTS35341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN0214 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 1.2 kV, 200 mA, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN0214 SGSTS35341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN0214 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 1.2 kV, 200 mA, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.