STN0214 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 1200V 0.2A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300 mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1.6 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STN0214 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STN0214 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 1.2 kV, 200 mA, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STN0214 за ціною від 33.38 грн до 112.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STN0214 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 1200V 0.2A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STN0214 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 1200V 0.2A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STN0214 | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 1200V 0.2A SOT-223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300 mV @ 20mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 200mA, 2V Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1.6 W |
на замовлення 1308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STN0214 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT Very High Volt NPN 1400V 200mA PWR Tran |
на замовлення 11810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
STN0214 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN0214 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 1.2 kV, 200 mA, 1.6 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
STN0214 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN0214 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 1.2 kV, 200 mA, 1.6 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| STN0214 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 1200V 0.2A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 1200V 0.2A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 39.34 грн |
| 5000+ | 36.99 грн |
| 10000+ | 36.47 грн |
| STN0214 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 1200V 0.2A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 1200V 0.2A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 39.34 грн |
| 5000+ | 36.99 грн |
| 10000+ | 36.47 грн |
| STN0214 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 1200V 0.2A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300 mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1.6 W
Description: TRANS NPN 1200V 0.2A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300 mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 112.11 грн |
| 10+ | 67.90 грн |
| 100+ | 45.29 грн |
| 500+ | 33.38 грн |
| STN0214 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Very High Volt NPN 1400V 200mA PWR Tran
Bipolar Transistors - BJT Very High Volt NPN 1400V 200mA PWR Tran
на замовлення 11810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STN0214 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN0214 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 1.2 kV, 200 mA, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - STN0214 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 1.2 kV, 200 mA, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STN0214 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN0214 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 1.2 kV, 200 mA, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - STN0214 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 1.2 kV, 200 mA, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





