Продукція > STMICROELECTRONICS > STN1NK60ZL
STN1NK60ZL

STN1NK60ZL STMicroelectronics

stn1nk60zl.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+15.68 грн
12000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STN1NK60ZL STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60ZL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 440 mA, 10.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 440mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SuperMESH Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10.4ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STN1NK60ZL за ціною від 15.95 грн до 67.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STN1NK60ZL STN1NK60ZL STMicroelectronics stn1nk60zl.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 300mA; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
On-state resistance: 10.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: 30V
на замовлення 4299 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZL STN1NK60ZL STMicroelectronics 450873423927520dm0012.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.44A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZL STN1NK60ZL STMicroelectronics 450873423927520dm0012.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.44A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZL STN1NK60ZL STMicroelectronics stn1nk60zl.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 54588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.25 грн
10+40.15 грн
50+29.58 грн
100+24.52 грн
500+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZL STN1NK60ZL STMicroelectronics stn1nk60zl.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 10 Ohm typ., 0.44 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
на замовлення 14538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZL STN1NK60ZL STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008000816-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60ZL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 440 mA, 10.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZL STN1NK60ZL STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008000816-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60ZL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 440 mA, 10.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZL stn1nk60zl.pdf
STN1NK60ZL
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 300mA; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
On-state resistance: 10.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: 30V
на замовлення 4299 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZL 450873423927520dm0012.pdf
STN1NK60ZL
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 0.44A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZL 450873423927520dm0012.pdf
STN1NK60ZL
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 0.44A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZL stn1nk60zl.pdf
STN1NK60ZL
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 54588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.25 грн
10+40.15 грн
50+29.58 грн
100+24.52 грн
500+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZL stn1nk60zl.pdf
STN1NK60ZL
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 10 Ohm typ., 0.44 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
на замовлення 14538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZL SGST-S-A0008000816-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STN1NK60ZL
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60ZL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 440 mA, 10.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZL SGST-S-A0008000816-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STN1NK60ZL
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60ZL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 440 mA, 10.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.