Продукція > STMICROELECTRONICS > STN1NK80Z
STN1NK80Z

STN1NK80Z STMicroelectronics

95620929550154cd0005.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STN1NK80Z STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 250 mA, 16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 30V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STN1NK80Z за ціною від 26.31 грн до 128.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STN1NK80Z STN1NK80Z Виробник : STMicroelectronics stn1nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+27.78 грн
8000+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80Z STN1NK80Z Виробник : STMicroelectronics stn1nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+29.98 грн
8000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80Z STN1NK80Z Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 250 mA, 16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.39 грн
500+36.61 грн
1000+31.36 грн
5000+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80Z STN1NK80Z Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB18F5021428745&compId=STN1NK80Z.pdf?ci_sign=255c6d4e3d2768f789a367a409faf8cf8c8ab227 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 160mA; 2.5W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+49.06 грн
10+42.12 грн
50+37.97 грн
100+36.13 грн
250+33.81 грн
500+32.21 грн
1000+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80Z STN1NK80Z Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB18F5021428745&compId=STN1NK80Z.pdf?ci_sign=255c6d4e3d2768f789a367a409faf8cf8c8ab227 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 160mA; 2.5W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.88 грн
10+52.49 грн
50+45.56 грн
100+43.35 грн
250+40.57 грн
500+38.65 грн
1000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80Z STN1NK80Z Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 250 mA, 16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+58.96 грн
16+55.00 грн
100+46.39 грн
500+36.61 грн
1000+31.36 грн
5000+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80Z STN1NK80Z Виробник : STMicroelectronics stq1nk80zr-ap.pdf MOSFETs POWER MOSFET Zener SuperMESH
на замовлення 6445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.07 грн
10+54.53 грн
100+43.51 грн
500+38.37 грн
1000+36.68 грн
2000+36.29 грн
4000+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80Z STN1NK80Z Виробник : STMicroelectronics stq1nk80zr-ap.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.65 грн
10+78.97 грн
100+53.03 грн
500+39.34 грн
1000+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80Z STN1NK80Z Виробник : STMicroelectronics stn1nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80Z STN1NK80Z Виробник : STMicroelectronics stn1nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80Z STN1NK80Z Виробник : STMicroelectronics stq1nk80zr-ap.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.