STN1NK80Z STMicroelectronics
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 28.83 грн |
| 8000+ | 27.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STN1NK80Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 250 mA, 16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 30V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STN1NK80Z за ціною від 27.33 грн до 120.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STN1NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STN1NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STN1NK80Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 250 mA, 16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 65500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STN1NK80Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 250 mA, 16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 64780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STN1NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs POWER MOSFET Zener SuperMESH |
на замовлення 19006 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STN1NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V |
на замовлення 9815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STN1NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STN1NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |