STN1NK80Z STMicroelectronics
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 26.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STN1NK80Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 250 mA, 13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 30V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STN1NK80Z за ціною від 26.42 грн до 103.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STN1NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STN1NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STN1NK80Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 250 mA, 13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 59988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STN1NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V |
на замовлення 4096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STN1NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET POWER MOSFET Zener SuperMESH |
на замовлення 7345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STN1NK80Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 250 mA, 13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 59988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STN1NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
STN1NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
STN1NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
STN1NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 160mA; 2.5W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 0.16A Power dissipation: 2.5W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 16Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
STN1NK80Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 160mA; 2.5W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 0.16A Power dissipation: 2.5W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 16Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |