Продукція > STMICROELECTRONICS > STN1NK80Z
STN1NK80Z

STN1NK80Z STMicroelectronics

95620929550154cd0005.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STN1NK80Z STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 250 mA, 13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 30V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції STN1NK80Z за ціною від 14.60 грн до 88.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STN1NK80Z STN1NK80Z Виробник : STMicroelectronics stn1nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80Z STN1NK80Z Виробник : STMicroelectronics stn1nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80Z STN1NK80Z Виробник : STMicroelectronics stq1nk80zr-ap.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80Z STN1NK80Z Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 250 mA, 13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 59988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.90 грн
500+53.67 грн
1000+36.48 грн
4000+34.72 грн
8000+34.01 грн
12000+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80Z STN1NK80Z Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 250 mA, 13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 67520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.22 грн
50+52.94 грн
250+45.86 грн
1000+38.00 грн
2000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80Z STN1NK80Z Виробник : STMicroelectronics STN1NK80Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 160mA; 2.5W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.10 грн
50+54.43 грн
59+15.44 грн
161+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80Z STN1NK80Z Виробник : STMicroelectronics stq1nk80zr-ap.pdf MOSFETs POWER MOSFET Zener SuperMESH
на замовлення 7794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.20 грн
10+73.26 грн
100+48.80 грн
500+40.22 грн
1000+36.99 грн
2000+34.20 грн
4000+32.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80Z STN1NK80Z Виробник : STMicroelectronics stq1nk80zr-ap.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
на замовлення 7939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.74 грн
10+65.90 грн
100+48.55 грн
500+38.41 грн
1000+35.26 грн
2000+33.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80Z STN1NK80Z Виробник : STMicroelectronics STN1NK80Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 160mA; 2.5W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.92 грн
50+67.83 грн
59+18.53 грн
161+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80Z STN1NK80Z Виробник : STMicroelectronics stn1nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80Z STN1NK80Z Виробник : STMicroelectronics stn1nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.