Продукція > STMICROELECTRONICS > STN2NF10
STN2NF10

STN2NF10 STMicroelectronics

en.CD00002442.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+29.36 грн
8000+26.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STN2NF10 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STN2NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 3.3W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm.

Інші пропозиції STN2NF10 за ціною від 23.61 грн до 132.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STN2NF10 STN2NF10 STMICROELECTRONICS SGSTS31599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN2NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.57 грн
250+49.29 грн
1000+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN2NF10 STN2NF10 STMicroelectronics en.CD00002442.pdf MOSFETs N-Ch 100 Volt 2 Amp
на замовлення 41879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+63.43 грн
100+39.90 грн
500+31.41 грн
1000+28.65 грн
2000+26.37 грн
4000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN2NF10 STN2NF10 STMicroelectronics en.CD00002442.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 9760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
10+69.40 грн
100+46.29 грн
500+34.16 грн
1000+31.17 грн
2000+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN2NF10 STN2NF10 STMICROELECTRONICS SGSTS31599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN2NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
на замовлення 5372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.09 грн
50+82.96 грн
250+55.57 грн
1000+31.93 грн
2000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN2NF10 SGSTS31599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STN2NF10
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN2NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+72.57 грн
250+49.29 грн
1000+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN2NF10 en.CD00002442.pdf
STN2NF10
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 Volt 2 Amp
на замовлення 41879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.48 грн
10+63.43 грн
100+39.90 грн
500+31.41 грн
1000+28.65 грн
2000+26.37 грн
4000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN2NF10 en.CD00002442.pdf
STN2NF10
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 9760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.39 грн
10+69.40 грн
100+46.29 грн
500+34.16 грн
1000+31.17 грн
2000+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN2NF10 SGSTS31599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STN2NF10
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN2NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
на замовлення 5372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+132.09 грн
50+82.96 грн
250+55.57 грн
1000+31.93 грн
2000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.