STN2NF10 STMicroelectronics
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 13.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STN2NF10 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STN2NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STN2NF10 за ціною від 13.47 грн до 133.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STN2NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STN2NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STN2NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STN2NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STN2NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STN2NF10 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN2NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STN2NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V |
на замовлення 10960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STN2NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100 Volt 2 Amp |
на замовлення 41879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STN2NF10 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN2NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STN2NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
STN2NF10 SMD N channel transistors |
на замовлення 2994 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|