
STN3N40K3 STMicroelectronics
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 11.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STN3N40K3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STN3N40K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.8 A, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STN3N40K3 за ціною від 14.48 грн до 97.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STN3N40K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3N40K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3N40K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3N40K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3N40K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 50 V |
на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3N40K3 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3N40K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 50 V |
на замовлення 53015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3N40K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 5478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3N40K3 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
STN3N40K3 | Виробник : ST |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STN3N40K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2085 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STN3N40K3 Код товару: 172019
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
STN3N40K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STN3N40K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |