Продукція > STMICROELECTRONICS > STN3NF06
STN3NF06

STN3NF06 STMicroelectronics

en.CD00002626.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+13.48 грн
8000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STN3NF06 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 3.3W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.

Інші пропозиції STN3NF06 за ціною від 13.33 грн до 58.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STN3NF06 STN3NF06 STMicroelectronics stn3nf06.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 3.3W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.36 грн
10+43.28 грн
11+37.97 грн
100+22.47 грн
250+18.49 грн
500+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06 STN3NF06 STMicroelectronics en.CD00002626.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.12 грн
10+35.15 грн
100+22.73 грн
500+16.31 грн
1000+14.69 грн
2000+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06 STN3NF06 STMICROELECTRONICS SGSTS31138-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 13182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06 STN3NF06 STMicroelectronics en.CD00002626.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 4 Amp
на замовлення 6887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06 STN3NF06 STMICROELECTRONICS SGSTS31138-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 13182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06 stn3nf06.pdf
STN3NF06
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 3.3W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+55.36 грн
10+43.28 грн
11+37.97 грн
100+22.47 грн
250+18.49 грн
500+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06 en.CD00002626.pdf
STN3NF06
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.12 грн
10+35.15 грн
100+22.73 грн
500+16.31 грн
1000+14.69 грн
2000+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06 SGSTS31138-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STN3NF06
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 13182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06 en.CD00002626.pdf
STN3NF06
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 4 Amp
на замовлення 6887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN3NF06 SGSTS31138-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STN3NF06
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 13182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.