
STN3NF06 STMicroelectronics
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 9.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STN3NF06 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STN3NF06 за ціною від 14.52 грн до 81.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STN3NF06 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 16564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1643 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V |
на замовлення 1807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2567 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1643 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 16564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STN3NF06 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
STN3NF06 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |