Інші пропозиції STN3NF06L за ціною від 14.36 грн до 119.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STN3NF06L | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN3NF06L | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN3NF06L | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN3NF06L | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STN3NF06L | ST |
N-MOSFET 4.0A 60V 3.3W 0.10Ω STN3NF06L TSTN3nf06lкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STN3NF06L | VBsemi |
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 175°C; STN3NF06L TSTN3NF06L VBSкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN3NF06L | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN3NF06L | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN3NF06L | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 33707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN3NF06L | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN3NF06L | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 47890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN3NF06L | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 990 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN3NF06L | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
на замовлення 1625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN3NF06L | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 47890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN3NF06L | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 4 AMP |
на замовлення 33899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| STN3NF06L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 20.36 грн |
| STN3NF06L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 23.28 грн |
| 8000+ | 14.64 грн |
| 12000+ | 14.36 грн |
| STN3NF06L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 23.28 грн |
| 8000+ | 14.64 грн |
| 12000+ | 14.36 грн |
| STN3NF06L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 25.04 грн |
| STN3NF06L |
![]() |
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 27.37 грн |
| STN3NF06L |
![]() |
Виробник: VBsemi
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 175°C; STN3NF06L TSTN3NF06L VBS
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 175°C; STN3NF06L TSTN3NF06L VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 33.89 грн |
| STN3NF06L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 38.17 грн |
| 8000+ | 22.90 грн |
| 12000+ | 20.36 грн |
| STN3NF06L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 38.26 грн |
| 8000+ | 22.95 грн |
| 12000+ | 20.41 грн |
| STN3NF06L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 33707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 742+ | 47.82 грн |
| 1000+ | 44.09 грн |
| 10000+ | 39.32 грн |
| STN3NF06L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 742+ | 47.82 грн |
| 1000+ | 44.09 грн |
| STN3NF06L |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 47890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 74.46 грн |
| 250+ | 49.69 грн |
| 1000+ | 33.13 грн |
| 2000+ | 29.68 грн |
| STN3NF06L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 103.19 грн |
| 6+ | 76.99 грн |
| 10+ | 67.49 грн |
| 100+ | 42.61 грн |
| 500+ | 32.53 грн |
| STN3NF06L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.91 грн |
| 10+ | 69.44 грн |
| 100+ | 46.33 грн |
| 500+ | 34.18 грн |
| 1000+ | 31.19 грн |
| STN3NF06L |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 47890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 117.31 грн |
| 50+ | 74.46 грн |
| 250+ | 49.69 грн |
| 1000+ | 33.13 грн |
| 2000+ | 29.68 грн |
| STN3NF06L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 4 AMP
MOSFETs N-Ch 60 Volt 4 AMP
на замовлення 33899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.75 грн |
| 10+ | 74.60 грн |
| 100+ | 43.29 грн |
| 500+ | 34.08 грн |
| 1000+ | 31.07 грн |
| 2000+ | 28.49 грн |
| 4000+ | 26.39 грн |
З цим товаром купують
| SN75179BDR Код товару: 203047
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SN74ABT125DR Код товару: 197059
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CD4021BM Код товару: 108225
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SN7407DR Код товару: 106404
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| LM2574N-5G (DIP-8, ON) Код товару: 34894
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: ON
Мікросхеми > Стабілізатори напруги імпульсні
Корпус: DIP-8
U вх, V: 40 V
I вых, A: 0,5 A
F, kHz: 52 kHz
U comp, V: 1,235 V
Примітка: STEP DOWN, ON/OFF
Робоча температура, °С: -40…+125°C
Мікросхеми > Стабілізатори напруги імпульсні
Корпус: DIP-8
U вх, V: 40 V
I вых, A: 0,5 A
F, kHz: 52 kHz
U comp, V: 1,235 V
Примітка: STEP DOWN, ON/OFF
Робоча температура, °С: -40…+125°C
у наявності: 149 шт
- 135 шт - склад
- 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 57.50 грн |
| 10+ | 52.80 грн |











