Продукція > STMICROELECTRONICS > STN3P6F6
STN3P6F6

STN3P6F6 STMicroelectronics

121952109166488dm0006.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STN3P6F6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VI, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm.

Інші пропозиції STN3P6F6 за ціною від 21.12 грн до 128.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STN3P6F6 STN3P6F6 STMicroelectronics 121952109166488dm0006.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 STN3P6F6 STMicroelectronics 121952109166488dm0006.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.02 грн
8000+32.73 грн
12000+31.50 грн
20000+29.03 грн
28000+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 STN3P6F6 STMicroelectronics 121952109166488dm0006.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.07 грн
8000+32.77 грн
12000+31.54 грн
20000+29.08 грн
28000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 STN3P6F6 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807080-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 3657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.27 грн
500+29.32 грн
1000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 STN3P6F6 STMicroelectronics 121952109166488dm0006.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.29 грн
18+43.55 грн
25+43.10 грн
100+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 STN3P6F6 STMicroelectronics STN3P6F6.pdf MOSFETs P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI
на замовлення 36790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+51.68 грн
100+30.58 грн
500+25.47 грн
1000+23.82 грн
2000+22.44 грн
4000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 STN3P6F6 STMicroelectronics STN3P6F6.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.6W; SOT223; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+88.59 грн
12+36.89 грн
100+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 STN3P6F6 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807080-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 3657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.84 грн
14+60.81 грн
100+40.27 грн
500+29.32 грн
1000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 STN3P6F6 STMicroelectronics STN3P6F6.pdf Description: MOSFET P-CH 60V SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.08 грн
10+58.71 грн
100+38.88 грн
500+28.50 грн
1000+25.93 грн
2000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 STN3P6F6 STMicroelectronics 121952109166488dm0006.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.96 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 STN3P6F6 STMicroelectronics 121952109166488dm0006.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 STN3P6F6 STMicroelectronics STN3P6F6.pdf Description: MOSFET P-CH 60V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 STMicroelectronics STN3P6F6.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 48, Qg, нКл = 6,4 @ 10 В, Rds = 160 мОм @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,6, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+128.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 121952109166488dm0006.pdf
STN3P6F6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 121952109166488dm0006.pdf
STN3P6F6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+34.02 грн
8000+32.73 грн
12000+31.50 грн
20000+29.03 грн
28000+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 121952109166488dm0006.pdf
STN3P6F6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+34.07 грн
8000+32.77 грн
12000+31.54 грн
20000+29.08 грн
28000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 SGST-S-A0002807080-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STN3P6F6
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 3657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+40.27 грн
500+29.32 грн
1000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 121952109166488dm0006.pdf
STN3P6F6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+60.29 грн
18+43.55 грн
25+43.10 грн
100+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 STN3P6F6.pdf
STN3P6F6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI
на замовлення 36790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.35 грн
10+51.68 грн
100+30.58 грн
500+25.47 грн
1000+23.82 грн
2000+22.44 грн
4000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 STN3P6F6.pdf
STN3P6F6
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.6W; SOT223; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+88.59 грн
12+36.89 грн
100+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 SGST-S-A0002807080-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STN3P6F6
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 3657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+95.84 грн
14+60.81 грн
100+40.27 грн
500+29.32 грн
1000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 STN3P6F6.pdf
STN3P6F6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.08 грн
10+58.71 грн
100+38.88 грн
500+28.50 грн
1000+25.93 грн
2000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 121952109166488dm0006.pdf
STN3P6F6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
125+113.96 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 121952109166488dm0006.pdf
STN3P6F6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 STN3P6F6.pdf
STN3P6F6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN3P6F6 STN3P6F6.pdf
Виробник: STMicroelectronics
P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 48, Qg, нКл = 6,4 @ 10 В, Rds = 160 мОм @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,6, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+128.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.