STN4NF20L STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 15.94 грн |
| 8000+ | 14.18 грн |
| 12000+ | 13.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STN4NF20L STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1 A, 1.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 3.3W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: StripFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm.
Інші пропозиції STN4NF20L за ціною від 13.12 грн до 73.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STN4NF20L | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 128000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN4NF20L | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 128000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN4NF20L | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1 A, 1.1 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 3.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: StripFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm |
на замовлення 5703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN4NF20L | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 1A; 3.3W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 1A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN4NF20L | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN4NF20L | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
на замовлення 14366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN4NF20L | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 200V 1.1 Ohm 1A LGC STripFET II |
на замовлення 18850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STN4NF20L | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1 A, 1.1 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 3.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: StripFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm |
на замовлення 5703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| STN4NF20L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 17.60 грн |
| STN4NF20L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 17.87 грн |
| 8000+ | 17.60 грн |
| STN4NF20L |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1 A, 1.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: StripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1 A, 1.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: StripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 5703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 27.38 грн |
| 500+ | 20.49 грн |
| 1000+ | 17.19 грн |
| 5000+ | 14.57 грн |
| STN4NF20L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 1A; 3.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 1A; 3.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 59.96 грн |
| 12+ | 37.73 грн |
| 20+ | 32.91 грн |
| STN4NF20L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 211+ | 67.38 грн |
| 302+ | 47.00 грн |
| 305+ | 46.54 грн |
| 316+ | 43.28 грн |
| 415+ | 29.30 грн |
| 525+ | 23.15 грн |
| 1000+ | 15.24 грн |
| STN4NF20L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 14366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 67.57 грн |
| 10+ | 40.68 грн |
| 100+ | 26.50 грн |
| 500+ | 19.13 грн |
| 1000+ | 17.28 грн |
| 2000+ | 15.72 грн |
| STN4NF20L |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200V 1.1 Ohm 1A LGC STripFET II
MOSFETs N-Ch 200V 1.1 Ohm 1A LGC STripFET II
на замовлення 18850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 70.63 грн |
| 10+ | 43.35 грн |
| 100+ | 24.58 грн |
| 500+ | 18.92 грн |
| 1000+ | 17.12 грн |
| 2000+ | 15.53 грн |
| 4000+ | 13.12 грн |
| STN4NF20L |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1 A, 1.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: StripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1 A, 1.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: StripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 5703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 73.61 грн |
| 21+ | 39.55 грн |
| 100+ | 27.38 грн |
| 500+ | 20.49 грн |
| 1000+ | 17.19 грн |
| 5000+ | 14.57 грн |






