
STN4NF20L STMicroelectronics
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 11.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STN4NF20L STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1 A, 1.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: StripFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STN4NF20L за ціною від 11.70 грн до 59.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STN4NF20L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN4NF20L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN4NF20L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN4NF20L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN4NF20L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN4NF20L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN4NF20L | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: StripFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN4NF20L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 1A; 3.3W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 1A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1131 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN4NF20L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 1A; 3.3W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 1A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1131 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN4NF20L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
на замовлення 4134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN4NF20L | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: StripFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN4NF20L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 36557 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STN4NF20L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STN4NF20L | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |