STN4NF20L STMicroelectronics
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 12.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STN4NF20L STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1 A, 1.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: StripFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STN4NF20L за ціною від 13.38 грн до 57.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STN4NF20L | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STN4NF20L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STN4NF20L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STN4NF20L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STN4NF20L | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1 A, 1.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: StripFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STN4NF20L | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STN4NF20L | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 200V 1.1 Ohm 1A LGC STripFET II |
на замовлення 20113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STN4NF20L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STN4NF20L | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1 A, 1.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: StripFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STN4NF20L | Виробник : STMicroelectronics |
STN4NF20L SMD N channel transistors |
на замовлення 472 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
STN4NF20L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STN4NF20L | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
STN4NF20L | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |