STO450N6F7 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STO450N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 545 A, 850 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 327.70 грн |
| 100+ | 237.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STO450N6F7 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STO450N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 545 A, 850 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 545A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 454W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STO450N6F7 за ціною від 186.00 грн до 505.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STO450N6F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: LV MOSFET TRENCH Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TOLL Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 454W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STO450N6F7 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STO450N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 545 A, 850 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 545A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 454W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STO450N6F7 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STO450N6F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: LV MOSFET TRENCH Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TOLL Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 454W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) FET Type: N-Channel |
товару немає в наявності |