STO450N6F7 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: LV MOSFET TRENCH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 423.10 грн |
| 10+ | 273.68 грн |
| 100+ | 197.84 грн |
| 500+ | 185.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STO450N6F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STO450N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 545 A, 850 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 545A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 454W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm.
Інші пропозиції STO450N6F7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STO450N6F7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STO450N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 545 A, 850 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 545A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 454W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
STO450N6F7 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
STO450N6F7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STO450N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 545 A, 850 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| STO450N6F7 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STO450N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 545 A, 850 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 545A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 454W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STO450N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 545 A, 850 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 545A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 454W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STO450N6F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STO450N6F7 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STO450N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 545 A, 850 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: STMICROELECTRONICS - STO450N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 545 A, 850 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)