Продукція > STMICROELECTRONICS > STO67N60DM6
STO67N60DM6

STO67N60DM6 STMicroelectronics

sto67n60dm6-1874875.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 48 mOhm typ., 58 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+641.16 грн
10+454.03 грн
25+387.26 грн
100+300.45 грн
500+286.11 грн
1000+276.29 грн
1800+255.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STO67N60DM6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 33A TOLL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 23.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TOLL (HV), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STO67N60DM6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STO67N60DM6 STO67N60DM6 Виробник : STMicroelectronics sto67n60dm6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STO67N60DM6 Виробник : STMicroelectronics sto67n60dm6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STO67N60DM6 STO67N60DM6 Виробник : STMicroelectronics sto67n60dm6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 23.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL (HV)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STO67N60DM6 STO67N60DM6 Виробник : STMicroelectronics sto67n60dm6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 33A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 23.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL (HV)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.