Продукція > STMICROELECTRONICS > STO67N60M6
STO67N60M6

STO67N60M6 STMICROELECTRONICS

3154053.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STO67N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.048 ohm, TO-LL HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-LL HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+419.24 грн
50+350.22 грн
100+244.05 грн
250+239.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STO67N60M6 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STO67N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.048 ohm, TO-LL HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-LL HV, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: MDmesh M6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STO67N60M6 за ціною від 239.10 грн до 601.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STO67N60M6 STO67N60M6 Виробник : STMICROELECTRONICS 3154053.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STO67N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.048 ohm, TO-LL HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-LL HV
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+593.38 грн
5+506.72 грн
10+419.24 грн
50+350.22 грн
100+244.05 грн
250+239.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STO67N60M6 STO67N60M6 Виробник : STMicroelectronics sto67n60m6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL (HV)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+601.63 грн
10+394.51 грн
100+306.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STO67N60M6 Виробник : STMicroelectronics sto67n60m6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 34A 9-Pin(8+Tab) TO-LL HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STO67N60M6 Виробник : STMicroelectronics sto67n60m6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 34A 9-Pin(8+Tab) TO-LL HV T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STO67N60M6 STO67N60M6 Виробник : STMicroelectronics sto67n60m6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL (HV)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STO67N60M6 STO67N60M6 Виробник : STMicroelectronics sto67n60m6-1874887.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 48 mOhm typ., 34 A MDmesh M6 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.