Продукція > STMICROELECTRONICS > STO68N65DM6

STO68N65DM6 STMicroelectronics

Name: STO68N65DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 4835545-4
Price: 709.61 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL 650 V, 53 MOHM TYP., 5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3528 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TOLL (HV)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STO68N65DM6 STMicroelectronics

Description: N-CHANNEL 650 V, 53 MOHM TYP., 5, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3528 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TOLL (HV), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 27.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerSFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції STO68N65DM6

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	STO68N65DM6	Виробник : STMicroelectronics	Description: N-CHANNEL 650 V, 53 MOHM TYP., 5 Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TOLL (HV) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 27.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3528 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	STO68N65DM6	Виробник : STMicroelectronics	MOSFETs N-channel 650 V, 53 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.