STP100N10F7 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 108.18 грн |
| 50+ | 107.09 грн |
| 100+ | 102.11 грн |
| 500+ | 87.04 грн |
| 1000+ | 73.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP100N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VII, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm.
Інші пропозиції STP100N10F7 за ціною від 56.42 грн до 190.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP100N10F7 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP100N10F7 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP100N10F7 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N CH 100V 80A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V |
на замовлення 1185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP100N10F7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DeepGATE STripFET VII productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm |
на замовлення 574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
STP100N10F7 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150 |
на замовлення 1859 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| STP100N10F7 | ST |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube STP100N10F7 STMicroelectronics TSTP100N10F7 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STP100N10F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 130+ | 108.18 грн |
| 132+ | 107.09 грн |
| 138+ | 102.11 грн |
| 500+ | 87.04 грн |
| 1000+ | 73.67 грн |
| STP100N10F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 172.06 грн |
| 5+ | 123.54 грн |
| 10+ | 108.71 грн |
| STP100N10F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 100V 80A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
Description: MOSFET N CH 100V 80A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 190.12 грн |
| 50+ | 90.01 грн |
| 100+ | 81.01 грн |
| 500+ | 61.19 грн |
| 1000+ | 56.42 грн |
| STP100N10F7 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP100N10F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150
MOSFETs N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STP100N10F7 |
|
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube STP100N10F7 STMicroelectronics TSTP100N10F7
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube STP100N10F7 STMicroelectronics TSTP100N10F7
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 90.76 грн |