STP100N10F7

STP100N10F7 STMicroelectronics


stb100n10f7.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+150.79 грн
85+145.05 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP100N10F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: DeepGATE STripFET VII, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STP100N10F7 за ціною від 62.53 грн до 251.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP100N10F7 STP100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
74+166.75 грн
88+139.29 грн
100+132.18 грн
500+114.71 грн
1000+99.86 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
STP100N10F7 STP100N10F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00066568.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.62 грн
5+174.72 грн
7+134.11 грн
19+126.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP100N10F7 STP100N10F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00066568.pdf Description: MOSFET N CH 100V 80A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP100N10F7 STP100N10F7 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0014752942-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+222.83 грн
10+127.09 грн
100+119.67 грн
500+110.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STP100N10F7 STP100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7-1850220.pdf MOSFETs N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.46 грн
10+112.52 грн
100+91.22 грн
500+74.30 грн
1000+67.90 грн
2000+62.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP100N10F7 STP100N10F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00066568.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.55 грн
5+217.73 грн
7+160.93 грн
19+151.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP100N10F7 Виробник : ST en.DM00066568.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube STP100N10F7 STMicroelectronics TSTP100N10F7
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+81.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STP100N10F7 STP100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP100N10F7 STP100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.