STP105N3LL

STP105N3LL STMicroelectronics


2151827833471660dm000.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+51.62 грн
2000+42.95 грн
5000+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP105N3LL STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STP105N3LL за ціною від 28.80 грн до 127.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP105N3LL STP105N3LL Виробник : STMicroelectronics 2151827833471660dm000.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+55.31 грн
2000+46.02 грн
5000+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STP105N3LL STP105N3LL Виробник : STMicroelectronics en.DM00071078.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.97 грн
50+62.06 грн
100+59.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP105N3LL STP105N3LL Виробник : STMicroelectronics en.DM00071078.pdf MOSFETs N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.34 грн
10+67.03 грн
100+45.78 грн
500+40.70 грн
1000+34.79 грн
2000+31.15 грн
5000+28.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP105N3LL STP105N3LL Виробник : STMicroelectronics 2151827833471660dm000.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
95+127.90 грн
134+90.66 грн
200+72.21 грн
500+65.72 грн
1000+59.63 грн
2000+47.74 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
STP105N3LL Виробник : STMicroelectronics 2151827833471660dm000.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP105N3LL STP105N3LL Виробник : STMicroelectronics 2151827833471660dm000.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP105N3LL Виробник : STMicroelectronics en.DM00071078.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 105A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ H6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP105N3LL Виробник : STMicroelectronics en.DM00071078.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 105A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ H6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.