STP10LN80K5

STP10LN80K5 STMicroelectronics


stp10ln80k5-1851302.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ 8 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.01 грн
10+240.54 грн
25+173.94 грн
100+149.72 грн
250+148.25 грн
500+132.10 грн
1000+113.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP10LN80K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STP10LN80K5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP10LN80K5 STP10LN80K5 Виробник : STMicroelectronics dm00176858.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10LN80K5 STP10LN80K5 Виробник : STMicroelectronics dm00176858.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10LN80K5 Виробник : STMicroelectronics dm00176858.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10LN80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00176858.pdf STP10LN80K5 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10LN80K5 STP10LN80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00176858.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.