STP10N105K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 1050V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 265.93 грн |
50+ | 123.94 грн |
100+ | 123.23 грн |
500+ | 112.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP10N105K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 6A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): 30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP10N105K5 за ціною від 113.18 грн до 324.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP10N105K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP10N105K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP10N105K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STP10N105K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
STP10N105K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 6A; Idm: 24A; 130W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.05kV Drain current: 6A Power dissipation: 130W Case: TO220 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 21.5nC Pulsed drain current: 24A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
STP10N105K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 6A; Idm: 24A; 130W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.05kV Drain current: 6A Power dissipation: 130W Case: TO220 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 21.5nC Pulsed drain current: 24A |
товару немає в наявності |