Продукція > STMICROELECTRONICS > STP10N60M2
STP10N60M2

STP10N60M2 STMICROELECTRONICS

2371896.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP10N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+56.20 грн
100+56.11 грн
500+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP10N60M2 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STP10N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STP10N60M2 за ціною від 37.60 грн до 159.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP10N60M2 STP10N60M2 Виробник : STMicroelectronics stp10n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13.5nC
Pulsed drain current: 30A
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.06 грн
10+63.06 грн
50+55.59 грн
100+50.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N60M2 STP10N60M2 Виробник : STMicroelectronics stp10n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13.5nC
Pulsed drain current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.07 грн
10+78.58 грн
50+66.71 грн
100+60.73 грн
500+58.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N60M2 STP10N60M2 Виробник : STMicroelectronics stp10n60m2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.34 грн
50+68.62 грн
100+61.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N60M2 STP10N60M2 Виробник : STMicroelectronics stp10n60m2.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.83 грн
10+100.76 грн
100+60.77 грн
500+51.53 грн
1000+43.01 грн
2000+39.75 грн
5000+37.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N60M2 STP10N60M2 Виробник : STMicroelectronics stu10n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N60M2 STP10N60M2 Виробник : STMicroelectronics stb10n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N60M2 Виробник : STMicroelectronics stu10n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.