Продукція > STMICROELECTRONICS > STP10N80K5
STP10N80K5

STP10N80K5 STMicroelectronics

stp10n80k5.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
114+107.48 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP10N80K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STP10N80K5 за ціною від 149.84 грн до 297.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP10N80K5 STP10N80K5 Виробник : STMicroelectronics stp10n80k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.81 грн
5+207.18 грн
6+159.01 грн
16+149.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N80K5 STP10N80K5 Виробник : STMicroelectronics stp10n80k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 6A; Idm: 36A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
Pulsed drain current: 36A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+297.37 грн
5+258.17 грн
6+190.82 грн
16+179.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N80K5 STP10N80K5 Виробник : STMicroelectronics stp10n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N80K5 Виробник : STMicroelectronics stp10n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N80K5 STP10N80K5 Виробник : STMicroelectronics stp10n80k5.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10N80K5 Виробник : STMicroelectronics stp10n80k5-1851243.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ 9 A MDmesh K5 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.