STP10N95K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 950V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 299.89 грн |
| 50+ | 147.21 грн |
| 100+ | 133.55 грн |
| 500+ | 102.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP10N95K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 950V 8A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP10N95K5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STP10N95K5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STP10N95K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
MOSFETs N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)