Продукція > STM > STP10NK50Z

STP10NK50Z STM


STP10NK50Z.pdf Виробник: STM
07+ TO-220
на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP10NK50Z STM

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1219 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STP10NK50Z

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STP10NK50Z STP10NK50Z Виробник : STMicroelectronics STP10NK50Z.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1219 pF @ 25 V
товар відсутній
STP10NK50Z STP10NK50Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00060086-1223087.pdf MOSFET N-Ch 500 V 0.55 Ohm 9 A SuperMESH
товар відсутній