Інші пропозиції STP10NK80Z за ціною від 113.02 грн до 210.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP10NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 8584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STP10NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 8582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STP10NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 139 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STP10NK80Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.78 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 160W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm |
на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
STP10NK80Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 1931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STP10NK80Z | ST |
N-MOSFET 9A 800V 160W STP10NK80Z TSTP10NK80Zкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| STP10NK80Z |
STP10NK80Z Транзисторы MOS FET Power |
на замовлення 110 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STP10NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 156.72 грн |
| 50+ | 152.39 грн |
| 100+ | 143.36 грн |
| 500+ | 134.03 грн |
| 1000+ | 121.60 грн |
| 2000+ | 113.02 грн |
| STP10NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 90+ | 157.08 грн |
| 93+ | 152.74 грн |
| 100+ | 143.69 грн |
| 500+ | 134.33 грн |
| 1000+ | 121.88 грн |
| 2000+ | 113.28 грн |
| STP10NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 210.95 грн |
| 10+ | 153.05 грн |
| 20+ | 143.95 грн |
| 50+ | 137.33 грн |
| 100+ | 133.19 грн |
| STP10NK80Z |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.78 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.78 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP10NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STP10NK80Z |
![]() |
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 115.12 грн |
| STP10NK80Z |
![]() |
STP10NK80Z Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 110 шт:
термін постачання 4 дні (днів)






