Продукція > STMICROELECTRONICS > STP10NK80Z
STP10NK80Z

STP10NK80Z STMicroelectronics

95620948458293374.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP10NK80Z STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.78 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STP10NK80Z за ціною від 107.19 грн до 379.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP10NK80Z STP10NK80Z Виробник : STMicroelectronics STP10NK80ZFP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+129.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80Z STP10NK80Z Виробник : STMicroelectronics STP10NK80ZFP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+154.94 грн
500+142.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80Z STP10NK80Z Виробник : STMicroelectronics 95620948458293374.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+156.65 грн
1000+151.09 грн
5000+150.77 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80Z STP10NK80Z Виробник : STMicroelectronics 95620948458293374.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+168.09 грн
1000+162.12 грн
5000+161.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80Z STP10NK80Z Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS31545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.78 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.01 грн
10+172.15 грн
100+171.29 грн
500+158.26 грн
1000+145.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80Z STP10NK80Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00003020.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.31 грн
10+157.95 грн
100+135.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80Z STP10NK80Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00003020.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.32 грн
50+190.67 грн
100+173.80 грн
500+135.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80Z Виробник : ST en.CD00003020.pdf N-MOSFET 9A 800V 160W STP10NK80Z TSTP10NK80Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+107.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80Z en.CD00003020.pdf STP10NK80Z Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 110 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80Z
Код товару: 139478
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00003020.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NK80Z STP10NK80Z Виробник : STMicroelectronics 95620948458293374.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.