Технічний опис STP10NM60N STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STP10NM60N за ціною від 92.78 грн до 273.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP10NM60N | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STP10NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STP10NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP10NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 32A Gate charge: 19nC |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP10NM60N | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP10NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A |
на замовлення 4157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| STP10NM60N |
|
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STP10NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 117.82 грн |
| STP10NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 118.61 грн |
| 2000+ | 112.09 грн |
| STP10NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 118.87 грн |
| 2000+ | 112.35 грн |
| STP10NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 19nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 19nC
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 224.39 грн |
| 10+ | 130.13 грн |
| 25+ | 117.77 грн |
| 50+ | 111.18 грн |
| 100+ | 103.77 грн |
| STP10NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 273.25 грн |
| 50+ | 133.51 грн |
| 100+ | 120.92 грн |
| 500+ | 92.78 грн |
| STP10NM60N |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A
на замовлення 4157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)