STP10NM60N STMicroelectronics


dm00252.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+119.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP10NM60N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STP10NM60N за ціною від 82.19 грн до 265.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP10NM60N STP10NM60N STMicroelectronics dm00252.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+119.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60N STP10NM60N STMicroelectronics dm00252.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+120.47 грн
2000+113.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60N STP10NM60N STMicroelectronics dm00252.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+120.74 грн
2000+114.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60N STP10NM60N STMicroelectronics std10nm60n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 19nC
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+244.06 грн
10+161.29 грн
25+142.26 грн
50+129.03 грн
100+114.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60N STP10NM60N STMicroelectronics std10nm60n.pdf MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A
на замовлення 64 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+264.08 грн
10+132.03 грн
100+104.37 грн
500+85.45 грн
1000+84.80 грн
5000+82.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60N STP10NM60N STMicroelectronics std10nm60n.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.92 грн
10+168.01 грн
50+129.90 грн
100+110.40 грн
500+90.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60N dm00252.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+119.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60N dm00252.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+120.47 грн
2000+113.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60N dm00252.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+120.74 грн
2000+114.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60N std10nm60n.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 19nC
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+244.06 грн
10+161.29 грн
25+142.26 грн
50+129.03 грн
100+114.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60N std10nm60n.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 8A
на замовлення 64 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+264.08 грн
10+132.03 грн
100+104.37 грн
500+85.45 грн
1000+84.80 грн
5000+82.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP10NM60N std10nm60n.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+265.92 грн
10+168.01 грн
50+129.90 грн
100+110.40 грн
500+90.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.