STP10NM60ND STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 577 pF @ 50 V
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 179.85 грн |
50+ | 84.88 грн |
100+ | 76.32 грн |
500+ | 57.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP10NM60ND STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 577 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STP10NM60ND
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP10NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
STP10NM60ND Код товару: 132010
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||
![]() |
STP10NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STP10NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |