Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STP110N10F7

STP110N10F7

en.DM00072347.pdf
Код товару: 189126
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STP110N10F7 за ціною від 79.44 грн до 239.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP110N10F7 STP110N10F7 STMicroelectronics 811319514341279dm00072347.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+113.31 грн
126+112.18 грн
127+111.56 грн
500+106.02 грн
1000+92.14 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7 STP110N10F7 STMicroelectronics 811319514341279dm00072347.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+122.35 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7 STP110N10F7 STMicroelectronics 811319514341279dm00072347.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+122.69 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7 STP110N10F7 STMicroelectronics en.DM00072347.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 76A; Idm: 415A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 415A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+221.68 грн
25+136.40 грн
50+113.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7 STP110N10F7 STMicroelectronics en.DM00072347.pdf Description: MOSFET N CH 100V 110A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.31 грн
50+115.42 грн
100+104.25 грн
500+79.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7 STP110N10F7 STMicroelectronics en.DM00072347.pdf MOSFETs N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7 STP110N10F7 STMICROELECTRONICS SGSTS49339-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STP110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7 811319514341279dm00072347.pdf
STP110N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
125+113.31 грн
126+112.18 грн
127+111.56 грн
500+106.02 грн
1000+92.14 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7 811319514341279dm00072347.pdf
STP110N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+122.35 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7 811319514341279dm00072347.pdf
STP110N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+122.69 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7 en.DM00072347.pdf
STP110N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 76A; Idm: 415A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 415A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+221.68 грн
25+136.40 грн
50+113.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7 en.DM00072347.pdf
STP110N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 100V 110A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.31 грн
50+115.42 грн
100+104.25 грн
500+79.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7 en.DM00072347.pdf
STP110N10F7
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP110N10F7 SGSTS49339-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STP110N10F7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.