Технічний опис STP110N7F6
Description: MOSFET N-CHANNEL 68V 110A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 68 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP110N7F6
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
STP110N7F6 Код товару: 149414 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||
STP110N7F6 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 68V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||
STP110N7F6 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 68V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||
STP110N7F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CHANNEL 68V 110A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 68 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
||
STP110N7F6 | Виробник : STMicroelectronics | MOSFETs LGS LV MOSFET |
товару немає в наявності |