Продукція > STMICROELECTRONICS > STP11N60DM2
STP11N60DM2

STP11N60DM2 STMicroelectronics

en.DM00299439.pdf Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6.3A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.76 грн
10+67.63 грн
50+65.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP11N60DM2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STP11N60DM2 за ціною від 45.14 грн до 155.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP11N60DM2 STP11N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00299439.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.99 грн
50+61.84 грн
100+61.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2 STP11N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00299439.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.01 грн
10+67.28 грн
100+58.28 грн
500+56.16 грн
1000+49.90 грн
2000+46.28 грн
5000+45.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2 STP11N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.dm00299439.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2 STP11N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.dm00299439.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.dm00299439.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.