Продукція > STMICROELECTRONICS > STP11N65M2
STP11N65M2

STP11N65M2 STMicroelectronics

en.DM00116928.pdf Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 4.4A; Idm: 28A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 12.5nC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.79 грн
10+77.99 грн
50+67.21 грн
100+63.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP11N65M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STP11N65M2 за ціною від 45.24 грн до 184.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP11N65M2 STP11N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00116928.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.02 грн
50+78.59 грн
100+70.52 грн
500+52.88 грн
1000+48.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M2 STP11N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00116928.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 4.4A; Idm: 28A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 12.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.35 грн
10+97.19 грн
50+80.65 грн
100+75.67 грн
250+69.70 грн
500+68.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M2 STP11N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00116928.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+184.00 грн
10+115.42 грн
100+68.50 грн
500+57.35 грн
1000+50.50 грн
2000+46.76 грн
5000+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M2 STP11N65M2 Виробник : STMicroelectronics stp11n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M2 STP11N65M2 Виробник : STMicroelectronics stp11n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11N65M2 Виробник : STMicroelectronics stp11n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.