STP11N65M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 116.4 грн |
| 10+ | 93 грн |
| 100+ | 74 грн |
| 500+ | 58.77 грн |
| 1000+ | 49.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP11N65M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP11N65M2 за ціною від 48.16 грн до 124.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package |
на замовлення 1013 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STP11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STP11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| STP11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 4.4A; Idm: 28A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.68Ω Mounting: THT Gate charge: 12.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| STP11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 4.4A; Idm: 28A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.68Ω Mounting: THT Gate charge: 12.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |