STP11NK50Z STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 77+ | 191.03 грн |
| 78+ | 189.12 грн |
| 100+ | 174.47 грн |
| 500+ | 139.78 грн |
| 1000+ | 121.98 грн |
| 2000+ | 114.23 грн |
| 5000+ | 109.54 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
77 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP11NK50Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.52 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm.
Інші пропозиції STP11NK50Z за ціною від 65.80 грн до 288.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP11NK50Z | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP11NK50Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 125W; TO220-3; ESD Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.52Ω Power dissipation: 125W Drain current: 6.3A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V Kind of package: tube Case: TO220-3 Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 156 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP11NK50Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP11NK50Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 1039 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP11NK50Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.52 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP11NK50Z | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; STP11NK50Z TSTP11NK50Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STP11NK50Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 191.38 грн |
| 50+ | 189.47 грн |
| 100+ | 174.79 грн |
| 500+ | 140.05 грн |
| 1000+ | 122.21 грн |
| 2000+ | 114.44 грн |
| 5000+ | 109.74 грн |
| STP11NK50Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 125W; TO220-3; ESD
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.52Ω
Power dissipation: 125W
Drain current: 6.3A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; 125W; TO220-3; ESD
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.52Ω
Power dissipation: 125W
Drain current: 6.3A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 256.93 грн |
| 10+ | 175.75 грн |
| 25+ | 138.39 грн |
| 50+ | 114.62 грн |
| 100+ | 96.79 грн |
| STP11NK50Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 271.38 грн |
| 50+ | 132.99 грн |
| 100+ | 120.54 грн |
| STP11NK50Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 288.78 грн |
| 10+ | 183.43 грн |
| 100+ | 127.15 грн |
| 500+ | 106.84 грн |
| 1000+ | 97.81 грн |
| STP11NK50Z |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.52 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.52 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP11NK50Z |
|
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; STP11NK50Z TSTP11NK50Z
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; STP11NK50Z TSTP11NK50Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 65.80 грн |