Продукція > STMICROELECTRONICS > STP11NM50N
STP11NM50N

STP11NM50N STMicroelectronics

STP11NM50N.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.33 грн
50+92.40 грн
100+87.56 грн
500+72.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP11NM50N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 547 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 4.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції STP11NM50N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP11NM50N Виробник : STMicroelectronics STP11NM50N.pdf
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.