STP11NM60

STP11NM60 STMicroelectronics


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A988C425D426A0E2&compId=STP11NM60_STB11NM60T4.pdf?ci_sign=7f6850e5d01f3d5c3f83277057af543bfe3ee2ae Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 44A
на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.50 грн
10+175.90 грн
25+163.45 грн
50+155.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP11NM60 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STP11NM60 за ціною від 135.41 грн до 399.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP11NM60 STP11NM60 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A988C425D426A0E2&compId=STP11NM60_STB11NM60T4.pdf?ci_sign=7f6850e5d01f3d5c3f83277057af543bfe3ee2ae Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.40 грн
10+219.20 грн
25+196.14 грн
50+186.19 грн
100+175.23 грн
250+161.29 грн
500+150.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60 STP11NM60 Виробник : STMicroelectronics en.CD00005066.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.14 грн
10+202.43 грн
100+168.07 грн
500+139.39 грн
1000+135.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60 STP11NM60 Виробник : STMicroelectronics en.CD00005066.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+383.42 грн
50+192.28 грн
100+175.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60 STP11NM60 Виробник : STMICROELECTRONICS 1689951.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+399.41 грн
10+220.70 грн
100+209.98 грн
500+161.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60 en.CD00005066.pdf
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60 STP11NM60 Виробник : STMicroelectronics stp11nm60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60 Виробник : STMicroelectronics stp11nm60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60 STP11NM60 Виробник : STMicroelectronics stp11nm60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.