Продукція > STMICROELECTRONICS > STP11NM60FD
STP11NM60FD

STP11NM60FD STMicroelectronics

sgsts34647-1.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.40 грн
10+281.64 грн
25+195.92 грн
100+192.09 грн
500+171.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP11NM60FD STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FDmesh, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STP11NM60FD за ціною від 106.83 грн до 451.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP11NM60FD STP11NM60FD Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB3227FD4262745&compId=STP11NM60FD.pdf?ci_sign=4639c352df0d7ca7623d5f5c07f34f042c9b7a71 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.48 грн
9+113.20 грн
23+106.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FD STP11NM60FD Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB3227FD4262745&compId=STP11NM60FD.pdf?ci_sign=4639c352df0d7ca7623d5f5c07f34f042c9b7a71 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+353.37 грн
9+141.07 грн
23+128.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FD STP11NM60FD Виробник : STMicroelectronics en.CD00002479.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+390.75 грн
50+206.62 грн
100+203.04 грн
500+161.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FD STP11NM60FD Виробник : STMICROELECTRONICS 1690475.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+451.59 грн
10+344.27 грн
100+236.10 грн
500+191.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FD Виробник : ST en.CD00002479.pdf N-MOSFET 600V 11A 450mOhm@5.5A,10V, 40nC@10V, 900pF@50V, 160W STP11NM60FD TSTP11NM60FD
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+116.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FD
Код товару: 167166
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00002479.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FD STP11NM60FD Виробник : STMicroelectronics cd00002479.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FD STP11NM60FD Виробник : STMicroelectronics cd00002479.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FD Виробник : STMicroelectronics cd00002479.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.