на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 352.99 грн |
| 10+ | 234.73 грн |
| 100+ | 200.91 грн |
| 500+ | 170.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP11NM60FD STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FDmesh, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STP11NM60FD за ціною від 129.83 грн до 455.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP11NM60FD | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FDmesh productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP11NM60FD | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V |
на замовлення 741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| STP11NM60FD | Виробник : ST |
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 450mOhm; 11A; 160W; -65°C ~ 150°C; YFW65R380AF; STP11NM60FD-VB; STP11NM60FD TSTP11NM60FD кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| STP11NM60FD | Виробник : STMicroelectronics |
STP11NM60FD THT N channel transistors |
на замовлення 263 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
STP11NM60FD Код товару: 167166
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||
 |
STP11NM60FD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
STP11NM60FD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STP11NM60FD | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |