Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STP11NM60FD

STP11NM60FD

en.CD00002479.pdf
Код товару: 167166
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STP11NM60FD за ціною від 92.47 грн до 518.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP11NM60FD STP11NM60FD STMicroelectronics cd00002479.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.48 грн
10+125.07 грн
25+120.01 грн
100+110.87 грн
500+99.54 грн
1000+92.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FD STP11NM60FD STMicroelectronics cd00002479.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+139.79 грн
112+126.26 грн
116+121.15 грн
122+111.92 грн
500+100.48 грн
1000+93.35 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FD STP11NM60FD STMicroelectronics STP11NM60FD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+407.99 грн
10+224.01 грн
25+208.37 грн
50+197.66 грн
100+186.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FD STP11NM60FD STMicroelectronics en.CD00002479.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.03 грн
50+268.06 грн
100+245.80 грн
500+194.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FD STP11NM60FD STMICROELECTRONICS 1690475.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FD STP11NM60FD STMicroelectronics sgsts34647-1.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FD ST en.CD00002479.pdf Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 450mOhm; 11A; 160W; -65°C ~ 150°C; YFW65R380AF; STP11NM60FD-VB; STP11NM60FD TSTP11NM60FD
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+131.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FD cd00002479.pdf
STP11NM60FD
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+138.48 грн
10+125.07 грн
25+120.01 грн
100+110.87 грн
500+99.54 грн
1000+92.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FD cd00002479.pdf
STP11NM60FD
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
101+139.79 грн
112+126.26 грн
116+121.15 грн
122+111.92 грн
500+100.48 грн
1000+93.35 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FD STP11NM60FD.pdf
STP11NM60FD
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 7A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+407.99 грн
10+224.01 грн
25+208.37 грн
50+197.66 грн
100+186.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FD en.CD00002479.pdf
STP11NM60FD
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+518.03 грн
50+268.06 грн
100+245.80 грн
500+194.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FD 1690475.pdf
STP11NM60FD
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FD sgsts34647-1.pdf
STP11NM60FD
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60FD en.CD00002479.pdf
Виробник: ST
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 450mOhm; 11A; 160W; -65°C ~ 150°C; YFW65R380AF; STP11NM60FD-VB; STP11NM60FD TSTP11NM60FD
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+131.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.