Продукція > STM > STP11NM60FP

STP11NM60FP STM


STB11NM60_-1, STP11NM60_FP.pdf Виробник: STM
07+ SMD
на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP11NM60FP STM

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STP11NM60FP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STP11NM60FP STP11NM60FP Виробник : STMicroelectronics cd00005066.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
STP11NM60FP STP11NM60FP Виробник : STMicroelectronics STB11NM60_-1, STP11NM60_FP.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товар відсутній
STP11NM60FP STP11NM60FP Виробник : STMicroelectronics stp11nm60-956345.pdf MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
товар відсутній