Продукція > STMICROELECTRONICS > STP11NM60ND
STP11NM60ND

STP11NM60ND STMicroelectronics

1529482094833985cd001.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+134.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP11NM60ND STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STP11NM60ND за ціною від 124.17 грн до 412.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP11NM60ND STP11NM60ND Виробник : STMicroelectronics STD11NM60ND.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.98 грн
10+124.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60ND STP11NM60ND Виробник : STMICROELECTRONICS STX11NM60ND.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+352.09 грн
10+184.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60ND STP11NM60ND Виробник : STMicroelectronics STX11NM60ND.pdf MOSFETs N-channel 600V, 10A FDMesh II
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+412.26 грн
10+266.11 грн
100+172.85 грн
500+139.40 грн
1000+124.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60ND STP11NM60ND Виробник : STMicroelectronics 1529482094833985cd001.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM60ND STP11NM60ND Виробник : STMicroelectronics STX11NM60ND.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.