Технічний опис STP11NM60ND STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STP11NM60ND за ціною від 152.36 грн до 269.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP11NM60ND | STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.3A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||
 |
STP11NM60ND | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
 |
STP11NM60ND | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600V, 10A FDMesh II |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
 |
STP11NM60ND | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 55 шт В кошику од. на суму грн. |
| STP11NM60ND |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolar; 600V; 6.3A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 269.63 грн |
| 10+ | 152.36 грн |
| STP11NM60ND |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP11NM60ND |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600V, 10A FDMesh II
MOSFETs N-channel 600V, 10A FDMesh II
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STP11NM60ND |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)