STP11NM60ND STMicroelectronics
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 87.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP11NM60ND STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STP11NM60ND за ціною від 122.07 грн до 446.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP11NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP11NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP11NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600V, 10A FDMesh II |
на замовлення 547 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP11NM60ND | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP11NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
STP11NM60ND THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP11NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
STP11NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |