
STP11NM80 STMicroelectronics
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
150+ | 231.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP11NM80 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STP11NM80 за ціною від 134.86 грн до 377.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 4670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 4668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 150W; TO220-3 Mounting: THT Case: TO220-3 Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: MDmesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 150W; TO220-3 Mounting: THT Case: TO220-3 Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: MDmesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP11NM80 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
STP11NM80 | Виробник : ST |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics NV |
![]() |
на замовлення 2072 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
STP11NM80 Код товару: 36380
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
![]() |
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |