Інші пропозиції STP11NM80 за ціною від 127.98 грн до 329.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP11NM80 | STM |
N-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220 Power MOSFET Транзистори |
на замовлення 2071 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||
|
STP11NM80 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
STP11NM80 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220ABTechnology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel |
на замовлення 993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STP11NM80 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STP11NM80 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STP11NM80 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm |
на замовлення 661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
STP11NM80 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh |
на замовлення 1752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
STP11NM80 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| STP11NM80 | ST |
N-MOSFET 11A 800V 150W STP11NM80 TSTP11NM80кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STP11NM80 |
![]() |
Виробник: STM
N-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220 Power MOSFET Транзистори
N-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220 Power MOSFET Транзистори
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 234.08 грн |
| STP11NM80 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 150+ | 268.32 грн |
| STP11NM80 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 298.45 грн |
| 50+ | 211.33 грн |
| 100+ | 208.42 грн |
| 500+ | 171.43 грн |
| STP11NM80 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 43+ | 329.36 грн |
| 54+ | 264.27 грн |
| 111+ | 127.98 грн |
| STP11NM80 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 329.85 грн |
| 10+ | 264.67 грн |
| 100+ | 128.17 грн |
| STP11NM80 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP11NM80 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STP11NM80 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| SMBJ48A Код товару: 81993
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Jingdao
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SMB (DO-214AA)
Пікова потужність, P, Вт: 600 Вт
Напруга пробою, Vbr: 53,3 В
Постійна зворотна напруга, Vrm: 48 В
Струм витоку, Irm: 5 мкА
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: SMD
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SMB (DO-214AA)
Пікова потужність, P, Вт: 600 Вт
Напруга пробою, Vbr: 53,3 В
Постійна зворотна напруга, Vrm: 48 В
Струм витоку, Irm: 5 мкА
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 3.00 грн |
| 100+ | 2.60 грн |
| 1000+ | 2.30 грн |
| Реле FTR-F1CA024V Код товару: 42196
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fujitsu
Реле
Тип реле: Реле середньої потужності (5-20A)
Опис: Тип контактів: 2C; Uкотушки: 24 В; AC-DC: DC; Pупр (max): 530 мВт; Iкомутації: 5 А; UDC: 24 В; -40 ... + 75 ° C
Габарити: 29x12,8x16,5 мм
Напруга котушки: 24 VDC
Струм макс.: 5 А
Конфігурація контактів: DPDT(2C)
Напруга перемикання: 250 VAC; 24 VDC
Реле
Тип реле: Реле середньої потужності (5-20A)
Опис: Тип контактів: 2C; Uкотушки: 24 В; AC-DC: DC; Pупр (max): 530 мВт; Iкомутації: 5 А; UDC: 24 В; -40 ... + 75 ° C
Габарити: 29x12,8x16,5 мм
Напруга котушки: 24 VDC
Струм макс.: 5 А
Конфігурація контактів: DPDT(2C)
Напруга перемикання: 250 VAC; 24 VDC
у наявності: 770 шт
- 733 шт - склад
- 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 80.00 грн |
| 10+ | 75.00 грн |
| 100+ | 68.00 грн |
| 1000+ | 63.50 грн |
| STTH2003CT Код товару: 40401
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: TO-220
Зворотна напруга Vrr, В: 300 В
Середній струм Iav, А: 10 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 35 ns
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: TO-220
Зворотна напруга Vrr, В: 300 В
Середній струм Iav, А: 10 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 35 ns
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
у наявності: 28 шт
- 9 шт - склад
- 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 68.50 грн |
| 10+ | 62.20 грн |
| NCP1203D60R2G Код товару: 24891
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ON
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SOIC-8
Призначення і характеристики: ШІМ струмового режиму
Напруга вхідна, В: 16 В
Iвих., А: 250 мА
Частота Fosc, кГц: 65 кГц
Темп. діапазон: -40...+125°С
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SOIC-8
Призначення і характеристики: ШІМ струмового режиму
Напруга вхідна, В: 16 В
Iвих., А: 250 мА
Частота Fosc, кГц: 65 кГц
Темп. діапазон: -40...+125°С
на замовлення: 35 шт
- 35 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 110.00 грн |
| 10+ | 99.00 грн |
| SFH6156-2T (SMD-4) Код товару: 19152
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 5,3 кВ
Струм вх/вих Iвх/Iвих, мА: 60/100 мА
Вихідна напруга Uвих, В: 70 В
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: 4,2/23 µs
Робоча температура, °С: -55…+100°С
Кількість каналів: 1
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 5,3 кВ
Струм вх/вих Iвх/Iвих, мА: 60/100 мА
Вихідна напруга Uвих, В: 70 В
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: 4,2/23 µs
Робоча температура, °С: -55…+100°С
Кількість каналів: 1
у наявності: 406 шт
- 376 шт - склад
- 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 19 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 27 шт
- 27 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 13.50 грн |
| 10+ | 11.90 грн |
| 100+ | 10.50 грн |
| 1000+ | 9.60 грн |













