Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STP11NM80
STP11NM80

STP11NM80

stp11nm80.pdf
Код товару: 36380
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 400 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1630/50
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 15 шт
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+150.00 грн
10+127.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STP11NM80 за ціною від 132.55 грн до 516.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP11NM80 STP11NM80 STM stp11nm80.pdf N-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220 Power MOSFET Транзистори
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
4+235.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80 STP11NM80 STMicroelectronics en.cd00003205.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+277.90 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80 STP11NM80 STMicroelectronics en.cd00003205.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+341.12 грн
54+273.71 грн
111+132.55 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80 STP11NM80 STMicroelectronics en.cd00003205.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+341.63 грн
10+274.12 грн
100+132.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80 STP11NM80 STMicroelectronics STP11NM80.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+349.04 грн
6+166.90 грн
16+157.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80 STP11NM80 STMicroelectronics en.CD00003205.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 483 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+502.75 грн
10+278.86 грн
100+223.72 грн
500+207.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80 STP11NM80 STMicroelectronics en.CD00003205.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+516.25 грн
10+335.64 грн
50+266.26 грн
100+228.92 грн
500+192.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80 STP11NM80 STMICROELECTRONICS en.CD00003205.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80 STP11NM80 STMicroelectronics en.cd00003205.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80 ST en.CD00003205.pdf STP11NM80 N-MOSFET 11A 800V 150W TSTP11NM80
на замовлення 50 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
5+185.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80 stp11nm80.pdf
STP11NM80
Виробник: STM
N-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220 Power MOSFET Транзистори
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+235.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80 en.cd00003205.pdf
STP11NM80
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+277.90 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80 en.cd00003205.pdf
STP11NM80
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+341.12 грн
54+273.71 грн
111+132.55 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80 en.cd00003205.pdf
STP11NM80
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+341.63 грн
10+274.12 грн
100+132.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80 STP11NM80.pdf
STP11NM80
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+349.04 грн
6+166.90 грн
16+157.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80 en.CD00003205.pdf
STP11NM80
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 483 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+502.75 грн
10+278.86 грн
100+223.72 грн
500+207.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80 en.CD00003205.pdf
STP11NM80
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+516.25 грн
10+335.64 грн
50+266.26 грн
100+228.92 грн
500+192.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80 en.CD00003205.pdf
STP11NM80
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80 en.cd00003205.pdf
STP11NM80
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP11NM80 en.CD00003205.pdf
Виробник: ST
STP11NM80 N-MOSFET 11A 800V 150W TSTP11NM80
на замовлення 50 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+185.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

SMBJ48A
Код товару: 81993
Додати до обраних Обраний товар
SMBJ SERIES_R2104.pdf SMBJ.pdf eaton-smbje-tvs-diode-power-esd-suppressor-data-sheet.pdf SemtechSMBJxxA.pdf tvs-diodes-smbj-series-datasheet?assetguid=ba555e99-a12d-4f72-a0b6-86b06c67171e GK-SMBJ_SERIES-2025.pdf
SMBJ48A
Виробник: Jingdao
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SMB (DO-214AA)
Пікова потужність, P, Вт: 600 Вт
Напруга пробою, Vbr: 53,3 В
Постійна зворотна напруга, Vrm: 48 В
Струм витоку, Irm: 5 мкА
Конструкція діода: Односпрямований
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
6+3.50 грн
10+3.00 грн
100+2.60 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Реле FTR-F1CA024V
Код товару: 42196
1 Додати до обраних Обраний товар
ftr-f1ca024v.pdf
Реле FTR-F1CA024VРеле FTR-F1CA024V
Реле FTR-F1CA024VРеле FTR-F1CA024V
Виробник: Fujitsu
Реле
Тип реле: Реле середньої потужності (5-20A)
Опис: Тип контактів: 2C; Uкотушки: 24 В; AC-DC: DC; Pупр (max): 530 мВт; Iкомутації: 5 А; UDC: 24 В; -40 ... + 75 ° C
Габарити: 29x12,8x16,5 мм
Напруга котушки: 24 VDC
Струм макс.: 5 А
Конфігурація контактів: DPDT(2C)
Напруга перемикання: 250 VAC; 24 VDC
у наявності: 221 шт
  • 188 шт - склад
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 510 шт
  • 500 шт - очікується 26.11.2026
  • 10 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+100.00 грн
10+92.00 грн
100+85.00 грн
1000+78.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STTH2003CT
Код товару: 40401
Додати до обраних Обраний товар
en.CD00001289.pdf
STTH2003CT
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: TO-220
Зворотна напруга Vrr, В: 300 В
Середній струм Iav, А: 10 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 35 ns
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
у наявності: 26 шт
  • 9 шт - склад
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+68.50 грн
10+62.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1203D60R2G
Код товару: 24891
Додати до обраних Обраний товар
NCP1203D60R2G.pdf
NCP1203D60R2G
Виробник: ON
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SOIC-8
Призначення і характеристики: ШІМ струмового режиму
Напруга вхідна, В: 16 В
Iвих., А: 250 мА
Частота Fosc, кГц: 65 кГц
Темп. діапазон: -40...+125°С
у наявності: 163 шт
  • 140 шт - склад
  • 23 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 10 шт
  • 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+110.00 грн
10+99.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SFH6156-2T (SMD-4)
Код товару: 19152
1 Додати до обраних Обраний товар
sfh6156.pdf
SFH6156-2T (SMD-4)
Виробник: Vishay
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 5,3 кВ
Струм вх/вих Iвх/Iвих, мА: 60/100 мА
Вихідна напруга Uвих, В: 70 В
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: 4,2/23 µs
Робоча температура, °С: -55…+100°С
Кількість каналів: 1
у наявності: 252 шт
  • 222 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 6 шт
  • 6 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+13.50 грн
10+11.90 грн
100+10.50 грн
1000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.