STP11NM80
Код товару: 36380
Виробник: Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 400 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1630/50
Монтаж: THT
у наявності 20 шт:
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 150.00 грн |
| 10+ | 127.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STP11NM80 за ціною від 114.91 грн до 415.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh |
на замовлення 1982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V |
на замовлення 993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP11NM80 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| STP11NM80 | Виробник : ST |
N-MOSFET 11A 800V 150W STP11NM80 TSTP11NM80 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
STP11NM80 THT N channel transistors |
на замовлення 55 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
| STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics NV |
N-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220 Power MOSFET |
на замовлення 2071 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||
|
|
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STP11NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |