STP120N4F6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ H6
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 4.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 110W
Pulsed drain current: 320A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 117.86 грн |
| 10+ | 92.03 грн |
| 50+ | 73.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP120N4F6 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STP120N4F6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STP120N4F6 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI |
на замовлення 605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STP120N4F6 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI
MOSFETs N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)