
STP120N4F6 STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 61.03 грн |
2000+ | 56.69 грн |
5000+ | 53.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP120N4F6 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STP120N4F6 за ціною від 53.94 грн до 214.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 654 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STP120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
STP120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ H6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
STP120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STP120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ H6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |