STP120N4F6

STP120N4F6 STMicroelectronics


812146837085240dm00029509.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+61.03 грн
2000+56.69 грн
5000+53.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP120N4F6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STP120N4F6 за ціною від 53.94 грн до 214.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP120N4F6 STP120N4F6 Виробник : STMicroelectronics 812146837085240dm00029509.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+65.73 грн
2000+61.05 грн
5000+57.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STP120N4F6 STP120N4F6 Виробник : STMicroelectronics 812146837085240dm00029509.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+162.29 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
STP120N4F6 STP120N4F6 Виробник : STMicroelectronics stp120n4f6-1851244.pdf MOSFETs N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.91 грн
10+118.16 грн
100+83.67 грн
250+81.46 грн
500+71.12 грн
1000+54.16 грн
2000+53.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP120N4F6 STP120N4F6 Виробник : STMicroelectronics 812146837085240dm00029509.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP120N4F6 Виробник : STMicroelectronics 812146837085240dm00029509.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP120N4F6 Виробник : STMicroelectronics en.CD00263682.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ H6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP120N4F6 STP120N4F6 Виробник : STMicroelectronics en.CD00263682.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP120N4F6 Виробник : STMicroelectronics en.CD00263682.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ H6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.