STP120NF10 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 98+ | 145.02 грн |
| 111+ | 127.48 грн |
| 117+ | 121.43 грн |
| 500+ | 109.15 грн |
| 1000+ | 94.09 грн |
| 2000+ | 90.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP120NF10 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 9000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 312W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STP, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.
Інші пропозиції STP120NF10 за ціною від 90.24 грн до 410.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP120NF10 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP120NF10 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 77A Power dissipation: 312W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 233 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STP120NF10 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STP120NF10 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP120NF10 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V |
на замовлення 17733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP120NF10 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 9000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 312W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STP productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm |
на замовлення 586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
STP120NF10 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A |
на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STP120NF10 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10,5mOhm; 110A; 312W; -55°C ~ 175°C; STP120NF10 TSTP120NF10 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STP120NF10 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 145.29 грн |
| 10+ | 127.70 грн |
| 100+ | 121.65 грн |
| 500+ | 109.35 грн |
| 1000+ | 94.26 грн |
| 2000+ | 90.24 грн |
| STP120NF10 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 77A
Power dissipation: 312W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 77A
Power dissipation: 312W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 169.27 грн |
| 10+ | 138.15 грн |
| 25+ | 125.75 грн |
| 50+ | 115.82 грн |
| 100+ | 105.89 грн |
| 150+ | 100.93 грн |
| STP120NF10 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 227.22 грн |
| 500+ | 189.67 грн |
| 1000+ | 160.56 грн |
| 2000+ | 153.92 грн |
| STP120NF10 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 63+ | 227.22 грн |
| 500+ | 189.67 грн |
| 1000+ | 160.56 грн |
| 2000+ | 153.92 грн |
| STP120NF10 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 17733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 410.56 грн |
| 50+ | 207.77 грн |
| 100+ | 189.64 грн |
| 500+ | 148.17 грн |
| 1000+ | 138.61 грн |
| 2000+ | 132.52 грн |
| STP120NF10 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 9000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 9000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP120NF10 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A
MOSFETs N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STP120NF10 |
|
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10,5mOhm; 110A; 312W; -55°C ~ 175°C; STP120NF10 TSTP120NF10
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10,5mOhm; 110A; 312W; -55°C ~ 175°C; STP120NF10 TSTP120NF10
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 98.14 грн |