STP120NF10 STMicroelectronics
на замовлення 6162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 71.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP120NF10 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 9000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STP, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STP120NF10 за ціною від 76.24 грн до 350.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP120NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP120NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP120NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 16992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP120NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 16994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP120NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W Polarisation: unipolar Case: TO220-3 Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ II Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Drain current: 77A Drain-source voltage: 100V On-state resistance: 10.5mΩ Power dissipation: 312W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube |
на замовлення 555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP120NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A |
на замовлення 1271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP120NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W Polarisation: unipolar Case: TO220-3 Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ II Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Drain current: 77A Drain-source voltage: 100V On-state resistance: 10.5mΩ Power dissipation: 312W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 555 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP120NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V |
на замовлення 18025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP120NF10 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 9000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STP productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STP120NF10 | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10,5mOhm; 110A; 312W; -55°C ~ 175°C; STP120NF10 TSTP120NF10 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STP120NF10 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |