STP12N120K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1.2kV; 7.6A; Idm: 48A
Mounting: THT
Technology: MDmesh™ K5
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.6A
Drain-source voltage: 1.2kV
Gate charge: 44.2nC
On-state resistance: 690mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 553.64 грн |
| 5+ | 419.32 грн |
| 10+ | 370.68 грн |
| 25+ | 325.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP12N120K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STP12N120K5 за ціною від 222.98 грн до 675.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP12N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP12N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP12N120K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP12N120K5 | Виробник : STM |
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |