STP12N120K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 620.22 грн |
50+ | 326.54 грн |
100+ | 300.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP12N120K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP12N120K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP12N120K5 за ціною від 371.00 грн до 925.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP12N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP12N120K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP12N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STP12N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STP12N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
STP12N120K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |