STP12N50M2

STP12N50M2 STMicroelectronics


en.DM00121831.pdf Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 500V; 7A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M2
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 500V
на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.58 грн
10+74.88 грн
50+67.79 грн
100+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP12N50M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP12N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.325 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Plus, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.325ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STP12N50M2 за ціною від 42.00 грн до 169.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP12N50M2 STP12N50M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00121831.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 500V; 7A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.38Ω
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M2
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.90 грн
10+93.31 грн
50+81.34 грн
100+63.37 грн
250+61.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2 STP12N50M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00121831.pdf MOSFETs N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.14 грн
10+61.78 грн
100+53.12 грн
500+50.09 грн
1000+46.23 грн
2000+43.43 грн
5000+42.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2 STP12N50M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00121831.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.61 грн
50+74.68 грн
100+66.99 грн
500+50.20 грн
1000+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2 STP12N50M2 Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00121831.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP12N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.325 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.325ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+169.77 грн
13+67.31 грн
100+66.38 грн
500+58.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2 STP12N50M2 Виробник : STMicroelectronics 714768774103887dm00121831.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2 STP12N50M2 Виробник : STMicroelectronics 714768774103887dm00121831.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2 Виробник : STMicroelectronics 714768774103887dm00121831.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.