Продукція > STMICROELECTRONICS > STP12N50M2
STP12N50M2

STP12N50M2 STMicroelectronics

en.DM00121831.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.63 грн
10+60.83 грн
100+51.38 грн
500+50.32 грн
1000+44.61 грн
2000+42.94 грн
5000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP12N50M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP12N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.325 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Plus, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.325ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STP12N50M2 за ціною від 53.60 грн до 190.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP12N50M2 STP12N50M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00121831.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.59 грн
50+59.89 грн
100+59.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2 STP12N50M2 Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00121831.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP12N50M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.325 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.325ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+190.99 грн
12+76.22 грн
100+70.94 грн
500+53.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00121831.pdf STP12N50M2 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.68 грн
17+68.40 грн
45+64.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2 STP12N50M2 Виробник : STMicroelectronics 714768774103887dm00121831.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2 STP12N50M2 Виробник : STMicroelectronics 714768774103887dm00121831.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N50M2 Виробник : STMicroelectronics 714768774103887dm00121831.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.