STP12N60M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 125.94 грн |
| 10+ | 72.48 грн |
| 25+ | 66.71 грн |
| 50+ | 62.59 грн |
| 100+ | 57.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP12N60M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP12N60M2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STP12N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package |
на замовлення 946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STP12N60M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)