Продукція > STMICROELECTRONICS > STP12N60M2
STP12N60M2

STP12N60M2 STMicroelectronics

en.DM00187280.pdf Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M2
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.24 грн
10+75.01 грн
15+63.95 грн
40+60.80 грн
50+60.01 грн
100+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP12N60M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STP12N60M2 за ціною від 46.08 грн до 172.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP12N60M2 STP12N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00187280.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.69 грн
10+93.47 грн
15+76.75 грн
40+72.96 грн
50+72.01 грн
100+70.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N60M2 STP12N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00187280.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.44 грн
10+90.65 грн
100+69.73 грн
500+56.17 грн
1000+49.57 грн
2000+47.22 грн
5000+46.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N60M2 STP12N60M2 Виробник : STMicroelectronics 731078787278482dm00187280.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N60M2 STP12N60M2 Виробник : STMicroelectronics 731078787278482dm00187280.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N60M2 Виробник : STMicroelectronics 731078787278482dm00187280.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12N60M2 STP12N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00187280.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.