STP12N60M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 105.81 грн |
| 5+ | 87.88 грн |
| 12+ | 67.81 грн |
| 33+ | 63.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP12N60M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP12N60M2 за ціною від 45.1 грн до 126.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP12N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package |
на замовлення 1719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP12N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP12N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STP12N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STP12N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
STP12N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V |
товар відсутній |