STP12N65M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.42 Ohm typ 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 159.26 грн |
| 10+ | 130.82 грн |
| 100+ | 91.00 грн |
| 250+ | 83.67 грн |
| 500+ | 76.33 грн |
| 1000+ | 66.27 грн |
| 2000+ | 64.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP12N65M2 STMicroelectronics
Description: POWER MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP12N65M2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STP12N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: POWER MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |