
STP12N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 186.25 грн |
10+ | 161.90 грн |
25+ | 137.88 грн |
100+ | 120.46 грн |
500+ | 111.03 грн |
1000+ | 97.96 грн |
2000+ | 95.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP12N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP12N65M5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
STP12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
STP12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
STP12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STP12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
STP12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 5.4A; 70W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.4A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.43Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
|
STP12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
STP12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 5.4A; 70W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.4A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.43Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |