STP12N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 108.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP12N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP12N65M5 за ціною від 88.81 грн до 190.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STP12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V 0.370ohm 8.5A Mdmesh |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STP12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
STP12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STP12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STP12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STP12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 5.4A; 70W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.4A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.43Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STP12N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 5.4A; 70W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.4A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.43Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |