Інші пропозиції STP12NK80Z за ціною від 103.89 грн до 354.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP12NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3; ESD Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 190W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: SuperMesh™ Drain current: 6.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STP12NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STP12NK80Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V |
на замовлення 2523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STP12NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STP12NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STP12NK80Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH |
на замовлення 1132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STP12NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3; ESD
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 6.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3; ESD
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 6.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 246.87 грн |
| STP12NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 321.73 грн |
| 77+ | 185.91 грн |
| 100+ | 171.07 грн |
| 500+ | 150.27 грн |
| 1000+ | 137.75 грн |
| STP12NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 338.65 грн |
| 50+ | 168.42 грн |
| 100+ | 153.18 грн |
| 500+ | 118.70 грн |
| 1000+ | 110.65 грн |
| 2000+ | 103.89 грн |
| STP12NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 353.65 грн |
| 67+ | 211.90 грн |
| 100+ | 185.18 грн |
| 500+ | 148.09 грн |
| STP12NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 354.30 грн |
| 10+ | 212.28 грн |
| 100+ | 185.53 грн |
| 500+ | 148.37 грн |
| STP12NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





