Інші пропозиції STP12NK80Z за ціною від 103.84 грн до 353.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP12NK80Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3; ESD Version: ESD Mounting: THT Technology: SuperMesh™ Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 6.6A Drain-source voltage: 800V On-state resistance: 0.75Ω Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 190W Kind of channel: enhancement |
на замовлення 111 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STP12NK80Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220ABInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 2573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STP12NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STP12NK80Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STP12NK80Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH |
на замовлення 1234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STP12NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3; ESD
Version: ESD
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.6A
Drain-source voltage: 800V
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 190W
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3; ESD
Version: ESD
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.6A
Drain-source voltage: 800V
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 190W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 221.44 грн |
| 10+ | 137.63 грн |
| 25+ | 131.83 грн |
| 50+ | 127.68 грн |
| 100+ | 122.71 грн |
| STP12NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 271.22 грн |
| 50+ | 135.06 грн |
| 100+ | 122.87 грн |
| 500+ | 103.84 грн |
| STP12NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 352.86 грн |
| 67+ | 211.43 грн |
| 100+ | 184.77 грн |
| 500+ | 147.76 грн |
| STP12NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 353.51 грн |
| 10+ | 211.81 грн |
| 100+ | 185.12 грн |
| 500+ | 148.04 грн |
| STP12NK80Z |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





