Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STP12NM50

STP12NM50

en.CD00002079.pdf
Код товару: 32729
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP12NM50

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:500V
  • Cont Current Id:12A
  • On State Resistance:0.35ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220
  • Termination Type:Through Hole
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:400mJ
  • Current Iar:6A
  • Max Voltage Vds:550V
  • Max Voltage Vgs:30V
  • Max Voltage Vgs th:5V
  • Min Voltage Vgs th:3V
  • Power Dissipation Pd:160W
  • Pulse Current Idm:48A
  • Typ Capacitance Ciss:1000pF
  • Voltage Vds:550V
  • Transistor Case Style:TO-220

Інші пропозиції STP12NM50 за ціною від 118.56 грн до 436.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics STP12NM50.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5A
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.35Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+285.22 грн
10+207.28 грн
50+137.63 грн
100+129.34 грн
250+121.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics stb12nm50t4.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 58576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+301.84 грн
68+208.64 грн
100+195.30 грн
500+157.44 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics stb12nm50t4.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 58576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+303.68 грн
10+209.93 грн
100+196.50 грн
500+158.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics en.CD00002079.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.27 грн
50+222.38 грн
100+203.30 грн
500+159.42 грн
1000+149.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 STP12NM50 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0011303553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics en.CD00002079.pdf description MOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 ST en.CD00002079.pdf description N-MOSFET 12A 500V 160W 0.35Ω STP12NM50 TSTP12NM50
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+118.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 description STP12NM50.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5A
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 0.35Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+285.22 грн
10+207.28 грн
50+137.63 грн
100+129.34 грн
250+121.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 description stb12nm50t4.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 58576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+301.84 грн
68+208.64 грн
100+195.30 грн
500+157.44 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 description stb12nm50t4.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 58576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+303.68 грн
10+209.93 грн
100+196.50 грн
500+158.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 description en.CD00002079.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+436.27 грн
50+222.38 грн
100+203.30 грн
500+159.42 грн
1000+149.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 description SGST-S-A0011303553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP12NM50
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 description en.CD00002079.pdf
STP12NM50
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 description en.CD00002079.pdf
Виробник: ST
N-MOSFET 12A 500V 160W 0.35Ω STP12NM50 TSTP12NM50
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+118.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.