Технічний опис STP12NM50
- MOSFET, N, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:500V
- Cont Current Id:12A
- On State Resistance:0.35ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220
- Termination Type:Through Hole
- Avalanche Single Pulse Energy Eas:400mJ
- Current Iar:6A
- Max Voltage Vds:550V
- Max Voltage Vgs:30V
- Max Voltage Vgs th:5V
- Min Voltage Vgs th:3V
- Power Dissipation Pd:160W
- Pulse Current Idm:48A
- Typ Capacitance Ciss:1000pF
- Voltage Vds:550V
- Transistor Case Style:TO-220
Інші пропозиції STP12NM50 за ціною від 118.52 грн до 404.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP12NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 58576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP12NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.5A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 311 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP12NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 58576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP12NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V |
на замовлення 1022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP12NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp |
на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP12NM50 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 550V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP12NM50 | Виробник : ST |
N-MOSFET 12A 500V 160W 0.35Ω STP12NM50 TSTP12NM50 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
STP12NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STP12NM50 | Виробник : STM |
N-кан. MOSFET 500V, 12A, 0.35Ом, -55...+150, TO-220 (MDmesh) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |