STP12NM50

STP12NM50 STMicroelectronics


en.cd00002079.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 63696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+314.82 грн
10+298.69 грн
25+186.42 грн
100+172.22 грн
500+142.27 грн
1000+81.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP12NM50 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 550V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STP12NM50 за ціною від 88.70 грн до 380.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP12NM50 STP12NM50 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002079.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.14 грн
50+173.18 грн
100+171.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 STP12NM50 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3CC432815C469&compId=STP12NM50.pdf?ci_sign=7ea05d606751d0a7b7c031673f265440c1ca7743 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+316.91 грн
10+97.32 грн
25+96.56 грн
26+91.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 STP12NM50 Виробник : STMicroelectronics en.cd00002079.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 63696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+340.74 грн
38+323.29 грн
61+200.28 грн
100+186.42 грн
500+154.00 грн
1000+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 STP12NM50 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0011303553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+354.05 грн
10+316.91 грн
100+200.54 грн
500+167.83 грн
1000+137.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 STP12NM50 Виробник : STMicroelectronics stb12nm50t4-2956181.pdf MOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.91 грн
10+342.64 грн
25+176.56 грн
100+173.62 грн
500+161.85 грн
1000+145.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 STP12NM50 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3CC432815C469&compId=STP12NM50.pdf?ci_sign=7ea05d606751d0a7b7c031673f265440c1ca7743 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+380.29 грн
10+121.28 грн
25+115.87 грн
26+109.43 грн
300+106.67 грн
750+105.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 Виробник : ST en.CD00002079.pdf N-MOSFET 12A 500V 160W 0.35Ω STP12NM50 TSTP12NM50
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+105.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 STP12NM50
Код товару: 32729
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00002079.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 STP12NM50 Виробник : STMicroelectronics en.cd00002079.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 STP12NM50 Виробник : STMicroelectronics en.cd00002079.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 Виробник : Microchip Technology en.CD00002079.pdf Array
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.