STP12NM50

STP12NM50 STMicroelectronics


stb12nm50t4.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
436+127.57 грн
Мінімальне замовлення: 436
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP12NM50 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 550V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STP12NM50 за ціною від 80.46 грн до 367.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP12NM50 STP12NM50 Виробник : STMicroelectronics stb12nm50t4.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+240.62 грн
73+167.62 грн
100+164.01 грн
500+144.82 грн
1000+80.46 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 STP12NM50 Виробник : STMicroelectronics stb12nm50t4.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 11096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+260.17 грн
10+181.44 грн
100+175.90 грн
500+161.94 грн
1000+89.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 STP12NM50 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3CC432815C469&compId=STP12NM50.pdf?ci_sign=7ea05d606751d0a7b7c031673f265440c1ca7743 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.89 грн
10+99.11 грн
26+93.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 STP12NM50 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002079.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+314.43 грн
50+173.06 грн
100+170.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 STP12NM50 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3CC432815C469&compId=STP12NM50.pdf?ci_sign=7ea05d606751d0a7b7c031673f265440c1ca7743 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+316.67 грн
10+123.50 грн
26+112.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 STP12NM50 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0011303553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+364.74 грн
10+208.42 грн
100+205.90 грн
500+171.68 грн
1000+139.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 STP12NM50 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002079.pdf MOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+367.96 грн
10+197.29 грн
100+164.07 грн
500+163.32 грн
1000+134.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 STP12NM50 Виробник : STMicroelectronics stb12nm50t4.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 Виробник : ST en.CD00002079.pdf N-MOSFET 12A 500V 160W 0.35Ω STP12NM50 TSTP12NM50
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+107.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 STP12NM50
Код товару: 32729
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00002079.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP12NM50 STP12NM50 Виробник : STMicroelectronics en.cd00002079.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.