STP12NM50FP STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP; ESD
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Technology: MDmesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: TO220FP
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 242.63 грн |
| 9+ | 111.88 грн |
| 23+ | 105.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP12NM50FP STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STP12NM50FP за ціною від 76.31 грн до 363.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP12NM50FP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STP12NM50FP | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP; ESD Drain-source voltage: 550V Drain current: 7.5A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Technology: MDmesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STP12NM50FP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STP12NM50FP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP12NM50FP | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V |
на замовлення 694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STP12NM50FP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP12NM50FP | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp |
на замовлення 501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP12NM50FP | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STP12NM50FP | Виробник : ST |
N-MOSFET 12A 500V 35W STP12NM50FP TSTP12NM50FP кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
STP12NM50FP Код товару: 116311
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
 |
STP12NM50FP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STP12NM50FP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |