Продукція > STMICROELECTRONICS > STP130N6F7
STP130N6F7

STP130N6F7 STMicroelectronics

STP130N6F7.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.36 грн
50+56.97 грн
100+55.82 грн
500+48.67 грн
1000+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP130N6F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STP130N6F7 за ціною від 48.36 грн до 90.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP130N6F7 STP130N6F7 Виробник : STMICROELECTRONICS 2819091.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.09 грн
12+72.29 грн
100+69.90 грн
500+62.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N6F7 STP130N6F7 Виробник : STMicroelectronics stp130n6f7-1851303.pdf MOSFETs N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.76 грн
10+73.60 грн
100+59.08 грн
250+58.93 грн
500+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N6F7 STP130N6F7 Виробник : STMicroelectronics 825468769534509dm00157166.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N6F7 STP130N6F7 Виробник : STMicroelectronics 825468769534509dm00157166.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP130N6F7 Виробник : STMicroelectronics STP130N6F7.pdf STP130N6F7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.