Продукція > STMICROELECTRONICS > STP130N6F7

STP130N6F7 STMicroelectronics

Name: STP130N6F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 5357093-3
Price: 337.14 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 1698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	168.57 грн
50+	79.27 грн
100+	71.16 грн
500+	53.46 грн
1000+	49.17 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STP130N6F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STP130N6F7

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	STP130N6F7	STMICROELECTRONICS	Description: STMICROELECTRONICS - STP130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	на замовлення 722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	STP130N6F7	STMicroelectronics	MOSFETs N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package	на замовлення 1391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

STP130N6F7

Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

STP130N6F7

Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package

на замовлення 1391 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.