Продукція > STMICROELECTRONICS > STP13N60M2
STP13N60M2

STP13N60M2 STMICROELECTRONICS

2371898.pdf
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP13N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.48 грн
12+72.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP13N60M2 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STP13N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Plus, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STP13N60M2 за ціною від 37.18 грн до 166.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP13N60M2 STP13N60M2 Виробник : STMicroelectronics stp13n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+141.32 грн
10+84.03 грн
25+72.76 грн
50+65.70 грн
100+59.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60M2 STP13N60M2 Виробник : STMicroelectronics stp13n60m2.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.80 грн
10+84.38 грн
100+58.77 грн
500+47.59 грн
1000+44.52 грн
2000+39.48 грн
5000+37.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60M2 STP13N60M2 Виробник : STMicroelectronics stp13n60m2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.67 грн
50+77.98 грн
100+69.98 грн
500+52.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N60M2 STP13N60M2 Виробник : STMicroelectronics 5771dm00070267.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.