Продукція > STMICROELECTRONICS > STP13N65M2
STP13N65M2

STP13N65M2 STMicroelectronics

716080584560470dm00133031.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+98.13 грн
10+91.81 грн
25+88.48 грн
100+83.38 грн
500+75.54 грн
1000+70.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP13N65M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STP13N65M2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP13N65M2 STP13N65M2 Виробник : STMicroelectronics 716080584560470dm00133031.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N65M2 Виробник : STMicroelectronics 716080584560470dm00133031.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N65M2 STP13N65M2 Виробник : STMicroelectronics 716080584560470dm00133031.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N65M2 STP13N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00133031.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP13N65M2 STP13N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00133031.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.